全球对具有更快计算能力同时又能降低能耗和散热的设备的需求,是现代半导体行业的主要驱动力。为了提高晶体管密度,必须缩小晶体管尺寸。预计到 2022 年,随着 EUV(极紫外)光刻工艺的出现,目前的 14nm/7nm 技术将在商业量产中被 3nm 节点所取代。这种设备每平方毫米含有超过 1 亿个晶体管,单个晶体管的实际尺寸接近于含有几个原子的碳链的分子。任何杂质都会对最终产品产生不利影响。因此,清洁的生产环境对于避免生产过程中出现故障至关重要。
全球对具有更快计算能力同时又能降低能耗和散热的设备的需求,是现代半导体行业的主要驱动力。为了提高晶体管密度,必须缩小晶体管尺寸。预计到 2022 年,随着 EUV(极紫外)光刻工艺的出现,目前的 14nm/7nm 技术将在商业量产中被 3nm 节点所取代。这种设备每平方毫米含有超过 1 亿个晶体管,单个晶体管的实际尺寸接近于含有几个原子的碳链的分子。任何杂质都会对最终产品产生不利影响。因此,清洁的生产环境对于避免生产过程中出现故障至关重要。