エネルギー消費と放熱を削減すると同時に、これまで以上に高速な演算能力を持つデバイスに対する世界的な需要は、現代の半導体産業の重要な原動力となっている。トランジスタ密度を高めるためには、トランジスタのサイズを小さくする必要がある。現在の14nm/7nm技術は、EUV(極端紫外線)リソグラフィ・プロセスの登場により、2022年には商業的量産において3nmノードに取って代わられると予想されている。このようなデバイスには、1平方ミリメートル当たり1億個以上のトランジスタが含まれ、1個のトランジスタの実際のサイズは、数原子の炭素鎖を含む分子のサイズに近づいている。不純物が混入すると、最終製品に悪影響を及ぼす可能性がある。したがって、製造中の不具合を避けるためには、クリーンな製造環境が最も重要である。